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美国国防部的科学家已经发明了一种大脑植入物可以帮助唤起我们的记忆，一旦获得广泛运用后，那些容易健忘的人可能很快获得新生。据报道，这种新型植入物电阵列有希望帮助人们挖掘出大脑中最遥远的记忆。

国防高级研究计划局(DARPA)目前主要为了帮助那些受过大脑创伤的人，但是研究成果却可以让那些容易健忘的人同样受益。项目经理Justin Sanchez在一份新闻报告中说道，每个人都有尝试过一下子记住很多事情，或者是到达目的地复杂的路线。今天，我们正在探索植入神经技术如何促进大脑的这些功能。

这项技术的创新点在于，它可以“读懂”我们的头脑是如何形成和检索记忆的，甚至能够预测何时我们的记忆力下降了。Sanchez说，他的团队正在寻找电刺激的最佳时刻，何时记忆形成，何时检索记忆。

该团队在志愿者大脑负责陈述性记忆形成部位放入小电极阵列，这个部位用于短而简单的回忆，如名单、空间记忆等。这些志愿者虽然没有这样的记忆力问题，但因为其他神经系统问题已经预定了做手术，经过测试后，他们的记忆力得到提升。

研究的细节部分还没有公布，等待评审后将在科学杂志上出版，但有部分研究细节已经发表在DARPA的一个技术论坛上。关于人类大脑是如何对陈述性记忆进行编码的我们还不清楚，但这些实验已经阐明某些问题，并且可能对有记忆障碍的患者有巨大帮助。

DARPA的科学家也在寻找使大脑受到刺激，以帮助学习和提高记忆力的方法。我们已经知道，重复学习可以让我们记得更牢固，今年这个机构将对大脑中的这个过程进行进一步研究。

本文译自 ScienceAlert，由 amor 编辑发布。

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