[-]IBM 科学家们宣布他们已经找到一种新材料，它能使“相变”存储芯片的读写速度提高到普通“闪存”芯片读写速度的 500 到 1000 倍，而且相比之下更加省电。
相变存储器集 DRAM 的高速度和 Flash 的存储性于一身，无疑将在未来的存储系统中扮演重要的角色。 链接 | 来源
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