基于氧化物铁电材料的柔性存储设备
CliffBao @ 2017.04.20 , 03:00 下午研究者首次将超薄氧化物铁电薄膜沉淀于柔性聚合物基底上，制造了非易失性存储器，有弹性，可穿戴。
Credit: North Carolina State University
北卡罗来纳州立大学材料科学与工程教授、论文共同作者Jacob Jones说道：“铁电材料能够存储电荷，是一种理想的非易失性存储器。但铁电材料易碎，并且通常需要在高温下制造，而在同等温度下，大部分聚合物将损坏。现在我们发现了一种制造极其纤薄的铁电材料薄膜的方法，能在低温下实现。”
通讯作者、材料科学与工程Walter 和 Ida Freema杰出教授Franky So(没错，他的姓是So)认为：“该工作中最令人兴奋的是能够在低温下制造铁电薄膜，并将其与碳基有机半导体结合能造出高柔性的存储设备。”
博士后研究员、论文第一作者Hyeonggeun Yu说道：“本工作成功的关键在于我们提出的技术能在低温下制造铁电薄膜并保持柔韧性。我们创造了一种新的设备平台，能集成存储设备与其他柔性电子线路。”
博士后研究员、论文共同作者Ching-Chang Chung称：“这一进步使我们能制造柔韧铁电材料，从而制造稳定记忆存储元件，用于高能效电子应用以及其他从太空探索到国防等应用。”
研究者利用具有铁电特性的二氧化铪制造薄膜，厚度从20纳米到50纳米不等，这也是世界首次。So评价：“这是纳米技术的里程碑。”
Jones总结道：“我们利用二氧化铪薄膜制造了一种低压，非易失性，垂直有机晶体管。这种程度的说明可能只对电子工程领域的研究者有用。对于普通人而言，这意味着这是一个极具现实应用前景的实用发现。”
Chung补充道：“我们发现这一原型功能完善，即使弯折1000次也能工作。我们目前正在研究如何能提高其可靠性，使得在弯折次数多余1000次情况下也能可靠地运作。”
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